高纯度、高硼-11同位素丰度的特种气体，中子吸收截面极低，作为半导体离子注入的核心 p 型掺杂源，广泛应用于高端芯片、光纤预制件制造，可提升器件抗辐射性与稳定性。

应用领域：

• 先进制程离子注入（7nm及以下工艺节点）
• FinFET器件（三维晶体管结构的精确掺杂）
• MEMS器件（微机电系统的材料改性）
• 功率半导体（SiC、GaN等第三代半导体材料掺杂）